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[新聞稿] 英特爾與美光合作推出業內最小巧、最先進之20nm制程技術

英特爾與美光合作推出業內最小巧、最先進之20nm制程技術
進一步加強在NAND快閃記憶體技術上的領先優勢
全新20nm制程8GB快閃記憶體 容量極大、體積極小
適合平板電腦、智能手機、固態硬碟及其他消費類和運算設備
內容摘要:
l 英特爾公司與美光科技公司合作推出業內最小巧、最先進的20nm NAND快閃記憶體制程技術。
l 英特爾與美光合營企業IM Flash Technologies藉著20nm制程技術,並把整個晶圓廠網絡的制程技術迅速升級,在業內領先。
l 容量達8GBMLC NAND快閃記憶體的體積僅為118平方毫米,為智能手機、平板電腦、固態硬碟等設備提供高儲存容量。

加利福尼亞州聖克拉拉市和愛達荷州博伊西市,二零一一年四月十五日—— 英特爾公司和美光科技公司今天針對NAND快閃記憶體製造環節,推出了一項更為精密的全新20nm制程技術。該項技術將用於生產容量達8GB (gigabyte) 的多層單元(MLCNAND快閃記憶體,為智能手機、平板電腦和運算解決方案,如﹕固態硬碟(SSD),提供容量大、體積小的儲存產品選擇,用作儲存音樂、視頻、書籍及其他資料。

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隨著數據儲存量持續增長,加上平板電腦和智能手機的功能不斷增強,對於NAND快閃記憶體技術產生嶄新需求,尤以更小體積結合更高容量的需求最為強烈。英特爾與美光合作推出的全新20nm制程8GB NAND快閃記憶體,體積僅為118平方毫米,與兩家公司採用現有25nm NAND制程的8GB NAND快閃記憶體相比,可節省三至四成的主板空間(取決於封裝類型)。這種快閃記憶體在佈局上節省的空間,可讓平板電腦和智能手機生產商將額外空間用於最終產品的改進上,例如採用較大的電池、擴大屏幕尺寸或增加晶片數量以支援新功能,從而實現更高的系統級效率。

全新的20nm制程8GB設備由英特爾與美光的NAND快閃記憶體合資企業IM Flash TechnologiesIMFT)生產。它是NAND制程和技術設計上的一大突破,進一步鞏固兩家公司在光刻技術方面的領先地位。由於該項全新制程技術能較現有技術協助晶圓廠增加GB容量約50%,因此將NAND光刻技術升級為該項全新技術,可說是提高晶圓廠產量的最經濟高效方法。與此同時,全新20nm NAND制程技術還保持與上一代25nm NAND制程技術相若的性能和耐用程度。

美光NAND解決方案事業部副總裁Glen Hawk表示:「與客戶緊密協作是美光的核心價值觀之一,通過這些努力,我們不斷在NAND快閃記憶體的領域,發掘出具有競爭力的最終產品設計機遇。20nm NAND制程技術是我們創新和成長的延續,可讓美光為客戶提供更具性價比的增值固態儲存解決方案。」

英特爾副總裁兼NVM解決方案事業部總經理Tom Rampone表示:「英特爾的目標是支援用戶快速經濟地瀏覽全球資訊。處於行業領先地位的NAND制程技術,可讓英特爾為客戶提供一代又一代具備最高品質,而且最經濟高效的解決方案。隨著在業界持續引領制程技術的發展,以及迅速將整個晶圓廠網絡的光刻技術升級至更先進、更精密的技術,英特爾與美光的合資企業堪稱製造業的一個典範。」

20nm 制程8GB快閃記憶體目前尚處於樣品階段,可望於今年下半年正式投產。英特爾和美光還希望屆時推出一款16GB快閃記憶體的樣品,可在體積較郵票更小的單一固態儲存解決方案中,提供高達128GB的儲存容量。

關於美光
美光科技公司是全球領先的高級半導體解決方案供應商。美光利用其覆蓋全球的營運網絡產銷全系列的DRAMNAND型和NOR型快閃記憶體,以及其他創新儲存技術、封裝解決方案和半導體系統,適用於各種尖端的運算、消費、網絡、嵌入式和流動產品。美光普通股在美國納斯達克(NASDAQ)上市,代碼為 MU。如欲瞭解更多有關美光科技公司的資訊,請瀏覽www.micron.com

關於英特爾
英特爾是運算創新領域的全球領導者,致力研發關鍵技術,為全球的運算設備奠定基礎。有關英特爾的其他資訊,請瀏覽該公司的新聞發佈室newsroom.intel.com http://blogs.intel.com/blogs.intel.com

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